IT之家 4 月 30 日消息，英特尔新任 CEO 陈立武今日在美国加州圣何塞举行的 Intel Foundry Direct Connect 2025 活动中亮相，概述了公司在晶圆厂代工项目上的进展。
陈立武宣布，公司现在正在与即将推出的 14A 工艺节点（1.4nm 等效）的主要客户进行接触，这是 18A 工艺节点的后续一代。
英特尔已有几个客户计划流片 14A 测试芯片，这些芯片现在配备了公司增强版的背面电源传输技术，称为 PowerDirect。
英特尔尚未给出 14A 明确的时间表。如果一切按计划进行，14A 将成为行业首个采用 High-NA EUV 光刻技术的节点。台积电的 A14 竞争对手节点预计将在 2028 年到来，但预计不会在生产中使用 High-NA 技术。
陈立武还透露，公司的关键 18A 节点现在处于风险生产阶段，预计今年晚些时候将开始量产。
英特尔还透露其新的 18A-P（IT之家注：18A 节点的性能版本）现在正在晶圆厂中运行，早期晶圆也已投产。
此外，英特尔官宣正在开发新的 18A-PT 版本，该版本支持 Foveros Direct 3D，采用混合键合互连，使英特尔能够在其最先进的领先节点上垂直堆叠晶圆。
Foveros Direct 3D 技术是一个关键的发展，因为它提供了一种竞争对手台积电已在生产中使用的功能，最著名的是 AMD 的 3D V-Cache 产品。事实上，英特尔在关键互连密度测量方面的实现与台积电的产品相匹配。
在成熟的节点方面，英特尔晶圆厂现在有了首个 16nm 量产晶圆，该公司现在也在与联电合作开发 12nm 节点。
封装方面，英特尔晶圆厂提供基于英特尔 14A 在英特尔 18A-PT 上的系统级集成，通过 Foveros Direct（3D 堆叠）和嵌入式多芯片互连桥接（2.5D 桥接）连接。
新的高级封装技术产品包括 EMIB-T，以实现未来的高带宽内存需求，以及 Foveros 架构的两个新补充：Foveros-R 和 Foveros-B，为顾客提供额外的灵活选项。
制造方面，英特尔亚利桑那州的 Fab 52 晶圆厂成功“全流程运行”，标志着通过该设施加工了第一块晶圆。英特尔 18A 的大规模生产将在俄勒冈州的英特尔工厂开始，而亚利桑那州的制造将在今年晚些时候扩大。
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