Intel秀出多项代工技术突破：吞吐量暴增100倍！

内容摘要Intel在IEDM 2024展会上的突破性技术新材料：减成法钌互连技术可降低线间电容，提升芯片内互连性能。先进封装：异构集成解决方案将吞吐量提升高达100倍，实现高速芯片间封装。晶体管技术：硅基RibbionFET CMOS技术提升设备性

Intel在IEDM 2024展会上的突破性技术

新材料：

  • 减成法钌互连技术可降低线间电容，提升芯片内互连性能。

先进封装：

  • 异构集成解决方案将吞吐量提升高达100倍，实现高速芯片间封装。

晶体管技术：

  • 硅基RibbionFET CMOS技术提升设备性能。
  • 2D场效应晶体管的栅氧化层模块用于缩微化和性能优化。

GaN技术：

  • 业界领先的GaN MOSHEMT提供高性能和缩微化，适用于功率器件和射频器件。

AI能效创新：

  • 先进内存集成，消除容量、带宽和延迟瓶颈。
  • 混合键合，优化互连带宽。
  • 模块化系统和连接解决方案，提升效率。
 
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丁家松

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